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韓媒:三星與英偉達加速下一代NAND閃存研發(fā)

2026-03-13 07:21    來源: 云財經(jīng)    影響力評估指數(shù):21.46  
云財經(jīng)訊,據(jù)韓國《首爾經(jīng)濟日報》援引未具名業(yè)內(nèi)人士消息,三星電子正與英偉達合作,加快下一代 NAND 閃存芯片的研發(fā)。三星半導(dǎo)體研究院、英偉達和佐治亞理工學(xué)院的聯(lián)合研究團隊開發(fā)了一種“物理信息神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算子”模型,其分析鐵電基NAND閃存器件性能的速度比現(xiàn)有模型快1萬倍以上,并公布了研究結(jié)果。基于研究成果,三星正與英偉達合作開發(fā)和商業(yè)化鐵電NAND閃存
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