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消息稱三星電子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%

2026-02-25 10:09    來(lái)源: 云財(cái)經(jīng)    影響力評(píng)估指數(shù):18.19  
云財(cái)經(jīng)訊,業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子內(nèi)部已實(shí)現(xiàn)1c DRAM 80%的良率,這是在高溫環(huán)境下(熱測(cè)試)取得的最高良率,2025年第四季度其良率約為60-70%,如今已顯著提升,并有望在5月份左右達(dá)到90%。業(yè)內(nèi)人士進(jìn)一步表示,三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高,已接近60%,去年第四季度約為50%。
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