云財(cái)經(jīng)訊，1月13日，據(jù)西安電子科技大學(xué)消息：該校郝躍院士團(tuán)隊(duì)突破了20年的半導(dǎo)體材料技術(shù)瓶頸，讓芯片散熱效率與綜合性能實(shí)現(xiàn)飛躍性提升，為解決各類半導(dǎo)體材料高質(zhì)量集成問題提供了可復(fù)制的中國范式。相關(guān)成果日前發(fā)表在國際頂級(jí)期刊《自然·通訊》和《科學(xué)進(jìn)展》上。 “目前市面上最常見的射頻半導(dǎo)體芯片是第三代氮化鎵半導(dǎo)體芯片，該類芯片散熱主要由芯片晶體的成核層決定。在我們實(shí)現(xiàn)科研突破之前，這類芯片晶體的成核層都是凹凸不平的，不利于芯片散熱?！蔽靼搽娮涌萍即髮W(xué)副校長、教授張進(jìn)成解釋，“熱量散不出去可能導(dǎo)致芯片性能下降甚至器件燒毀?！?團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在第三代半導(dǎo)體芯片晶體上注入高能離子，讓晶體成核層表面變得光滑。這一突破將半導(dǎo)體熱阻降至原來的三分之一，解決了第三代乃至未來半導(dǎo)體芯片面臨的散熱難題。 同時(shí)，該項(xiàng)突破讓半導(dǎo)體器件性能大幅提升。(陜西發(fā)布)