半導(dǎo)體投資“錨點(diǎn)”浮現(xiàn):解析長(zhǎng)鑫科技IPO背后的資本邏輯
近日,國(guó)家創(chuàng)業(yè)投資引導(dǎo)基金正式啟動(dòng),以萬(wàn)億級(jí)資金規(guī)模錨定戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)與未來(lái)產(chǎn)業(yè),全力助推新質(zhì)生產(chǎn)力加速成型。集成電路、人工智能等硬科技賽道被列為核心投向,政策紅利與資本動(dòng)能正形成強(qiáng)大合力。尤為值得關(guān)注的是,資本市場(chǎng)已率先響應(yīng)這一趨勢(shì)——壁仞科技成功登陸港股,百度昆侖芯啟動(dòng)赴港IPO進(jìn)程,燧原科技完成輔導(dǎo)備案,一系列標(biāo)志性動(dòng)作勾勒出硬科技企業(yè)密集上市的鮮明圖景。
值得注意的是,在這一資本上市潮下,國(guó)產(chǎn)DRAM領(lǐng)軍者長(zhǎng)鑫科技的IPO進(jìn)展格外引人注目,作為破解存儲(chǔ)芯片“卡脖子”難題的關(guān)鍵力量,其稀缺屬性與長(zhǎng)期成長(zhǎng)邏輯正獲得市場(chǎng)深度認(rèn)可。
A股首現(xiàn)通用DRAM制造平臺(tái),歷史性填補(bǔ)核心空白
DRAM作為數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的核心基礎(chǔ)設(shè)施,廣泛應(yīng)用于人工智能、服務(wù)器、消費(fèi)電子等關(guān)鍵領(lǐng)域。長(zhǎng)期以來(lái),全球DRAM市場(chǎng)被三星、SK海力士、美光等海外廠商壟斷,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)高度依賴進(jìn)口,成為制約我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”環(huán)節(jié)。而長(zhǎng)鑫科技的崛起,打破了這一長(zhǎng)期壟斷格局。
當(dāng)前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的上市企業(yè)多集中于設(shè)計(jì)、封測(cè)或車(chē)規(guī)級(jí)細(xì)分賽道,而長(zhǎng)鑫科技是中國(guó)大陸唯一具備通用型DRAM芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造一體化能力的企業(yè),填補(bǔ)了A股市場(chǎng)存儲(chǔ)芯片IDM企業(yè)標(biāo)的長(zhǎng)期的空白。此外,DRAM行業(yè)具有極高的技術(shù)壁壘與資金門(mén)檻,往往需要千億級(jí)別的持續(xù)投入,行業(yè)數(shù)據(jù)調(diào)查顯示,先進(jìn)晶圓廠的總投資可達(dá)700-1400億元,這樣的投入規(guī)模遠(yuǎn)超普通半導(dǎo)體企業(yè)的承載能力,進(jìn)一步強(qiáng)化了長(zhǎng)鑫科技的稀缺屬性。
從全球范圍來(lái)看,截至2026年1月初,美光科技的總市值約合人民幣26000億元;SK海力士的市值在2025年11月約合人民幣21000億元,且2026年首個(gè)交易日股價(jià)創(chuàng)歷史新高,市值大概率進(jìn)一步攀升;三星電子作為全球DRAM行業(yè)龍頭,2026年首個(gè)交易日股價(jià)飆升7.17%至歷史新高,其整體市值更是穩(wěn)居全球科技企業(yè)前列,僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)板塊的估值就極為可觀。
回到長(zhǎng)鑫科技,已成為中國(guó)第一、全球第四的DRAM廠商,填補(bǔ)中國(guó)DRAM領(lǐng)域的空白。在國(guó)家大力推進(jìn)存儲(chǔ)芯片自主化的戰(zhàn)略背景下,長(zhǎng)鑫科技的地位愈發(fā)關(guān)鍵,承擔(dān)著破局技術(shù)壁壘、保障產(chǎn)業(yè)鏈韌性的重要使命,是國(guó)家存儲(chǔ)芯片自主化進(jìn)程中的關(guān)鍵落子。根據(jù)招股書(shū),長(zhǎng)鑫此次計(jì)劃募資295億元。隨著全球存儲(chǔ)行業(yè)上行周期,長(zhǎng)鑫科技的市場(chǎng)份額與盈利能力有望持續(xù)提升,參照國(guó)際巨頭的市值體量,長(zhǎng)鑫未來(lái)沖擊萬(wàn)億市值具備堅(jiān)實(shí)的行業(yè)基礎(chǔ)與成長(zhǎng)邏輯。
重資產(chǎn)投入終見(jiàn)回報(bào),盈利拐點(diǎn)清晰顯現(xiàn)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有重資產(chǎn)、高投入、技術(shù)迭代快的特點(diǎn),企業(yè)在發(fā)展初期尤其是產(chǎn)能爬坡和技術(shù)升級(jí)階段出現(xiàn)虧損是行業(yè)普遍現(xiàn)象。即使是當(dāng)今全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)巨頭,其發(fā)展歷程也并非一帆風(fēng)順。例如三星半導(dǎo)體在80年代持續(xù)虧損依靠集團(tuán)輸血近十年才扭虧為盈;SK海力士于1983年進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè),長(zhǎng)期處于虧損狀態(tài),直到1992年才首次實(shí)現(xiàn)盈利。即使是行業(yè)巨頭,在長(zhǎng)期技術(shù)積淀和數(shù)倍于長(zhǎng)鑫的巨額資金投入下仍普遍需要十年才能勉強(qiáng)穿越虧損的“死亡之谷“。
令人振奮的是,長(zhǎng)鑫在2025年即已實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)轉(zhuǎn)正,招股書(shū)顯示,2022年至2024年,長(zhǎng)鑫科技營(yíng)收分別為82.87億元、90.87億元及241.78億元。而2025年1-9月,營(yíng)收直接躍升至320.84億元,同比增長(zhǎng)近100%,營(yíng)收增長(zhǎng)動(dòng)力充沛,勾勒出其業(yè)績(jī)兌現(xiàn)的加速曲線。
值得注意的是,長(zhǎng)鑫科技2025年的財(cái)務(wù)表現(xiàn)釋放出一個(gè)至關(guān)重要的積極信號(hào)——盈利拐點(diǎn)的確立。長(zhǎng)鑫在2025年前三季度的營(yíng)收已大幅超越2024年全年,更關(guān)鍵的是,其預(yù)計(jì)2025年全年凈利潤(rùn)將實(shí)現(xiàn)20億元至35億元的轉(zhuǎn)正,扣非歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)為28-30億元。
這一轉(zhuǎn)折的深刻意義,在與2023年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)的對(duì)比中更為凸顯。2023年存儲(chǔ)行業(yè)處于下行周期,全年均價(jià)低,計(jì)提的存貨跌價(jià)損失大幅增加至115億元,長(zhǎng)鑫科技凈利潤(rùn)-192.25億元。
從2023年的虧損到2025年明確預(yù)期盈利,這一跨越標(biāo)志著長(zhǎng)鑫科技作為全球第四大DRAM廠商,已成功穿越行業(yè)周期低谷,其經(jīng)營(yíng)杠桿和規(guī)模效應(yīng)開(kāi)始釋放,邁入業(yè)績(jī)兌現(xiàn)的新階段。
長(zhǎng)鑫科技在招股書(shū)中進(jìn)一步披露,若2026年市場(chǎng)均價(jià)能維持在2025年9月的水平,伴隨產(chǎn)能穩(wěn)步爬坡,預(yù)計(jì)將在2026年實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健盈利。
短期虧損是存儲(chǔ)芯片行業(yè)重資產(chǎn)、強(qiáng)周期特性的必經(jīng)之路。對(duì)于長(zhǎng)鑫這類(lèi)處于戰(zhàn)略爬坡期的核心硬科技企業(yè),市場(chǎng)對(duì)其的價(jià)值評(píng)估早已超越短期利潤(rùn)表,更著眼于其突破產(chǎn)業(yè)壁壘、定義市場(chǎng)格局的長(zhǎng)期價(jià)值。長(zhǎng)鑫盈利拐點(diǎn)的確立,不僅驗(yàn)證了規(guī)模效應(yīng)與技術(shù)突破的兌現(xiàn)能力,更標(biāo)志著其稀缺價(jià)值正加速轉(zhuǎn)化為長(zhǎng)期增長(zhǎng)動(dòng)能。
十年跨越三代技術(shù)代差,躋身全球主流陣營(yíng)
回顧發(fā)展歷程,長(zhǎng)鑫科技的成長(zhǎng)速度令人矚目,公司自2016年成立以來(lái),僅用約10年時(shí)間,便完成了從技術(shù)空白到躋身全球DRAM市場(chǎng)前列的跨越式發(fā)展。根據(jù)權(quán)威市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的數(shù)據(jù),按2025年第二季度DRAM銷(xiāo)售額統(tǒng)計(jì),長(zhǎng)鑫科技的全球市場(chǎng)份額已增至3.97%,位居中國(guó)第一、全球第四。
雖然目前長(zhǎng)鑫科技市場(chǎng)份額還與國(guó)際巨頭存在一定程度的差距,然而眾所周知,這些領(lǐng)先企業(yè)已積累了數(shù)十年的先發(fā)優(yōu)勢(shì),而長(zhǎng)鑫科技僅用不到十年的時(shí)間,走完了巨頭們十幾年甚至幾十年才走完的路,從零起步躋身全球主要競(jìng)爭(zhēng)者之列,這一追趕速度本身已充分證明了其突出的產(chǎn)業(yè)效率與發(fā)展?jié)摿Α?
招股書(shū)顯示,長(zhǎng)鑫科技采取“跳代研發(fā)”的策略,完成了從第一代工藝技術(shù)平臺(tái)到第四代工藝技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)。公司提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多元化的產(chǎn)品方案,并已經(jīng)完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等主流DRAM產(chǎn)品的覆蓋和迭代。
2025年年底,長(zhǎng)鑫科技相繼推出最新LPDDR5X和DDR5產(chǎn)品:LPDDR5X產(chǎn)品最高速率達(dá)到10667Mbps,較上一代LPDDR5提升了66%;而其推出的首款國(guó)產(chǎn)DDR5產(chǎn)品,速率高達(dá) 8000Mbps,單顆最大容量 24Gb ,并同步推出覆蓋全場(chǎng)景的七大模組產(chǎn)品。最新產(chǎn)品性能均已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
此外,長(zhǎng)鑫科技產(chǎn)能利用率穩(wěn)步提升,各期產(chǎn)能利用率分別為85.45%、87.06%、92.46%和94.63%。
根據(jù)招股書(shū),長(zhǎng)鑫科技的客戶包括阿里云、字節(jié)跳動(dòng)、騰訊、聯(lián)想、小米、傳音、榮耀、OPPO、vivo等頭部企業(yè),贏得了廣泛的市場(chǎng)認(rèn)可。在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā),巨頭產(chǎn)能轉(zhuǎn)移、供給收縮的背景下,長(zhǎng)鑫科技的上市和擴(kuò)產(chǎn),對(duì)于國(guó)內(nèi)下游廠商——無(wú)論是阿里云、字節(jié)跳動(dòng)等需要大量建設(shè)數(shù)據(jù)中心的互聯(lián)網(wǎng)巨頭,還是小米、聯(lián)想等硬件廠商,長(zhǎng)鑫科技已成為下游廠商緩解“缺貨”、平抑成本的關(guān)鍵“壓艙石”。
同時(shí),DRAM領(lǐng)域有產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)、帶動(dòng)效應(yīng)強(qiáng)的特點(diǎn),長(zhǎng)鑫科技的IPO也有望帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)的相關(guān)企業(yè)協(xié)同發(fā)展,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體轉(zhuǎn)型升級(jí)。
市場(chǎng)觀點(diǎn)認(rèn)為,長(zhǎng)鑫科技不僅是一家具有鏈主地位的DRAM企業(yè),更憑借其高起點(diǎn)的技術(shù)布局,精準(zhǔn)地抓住行業(yè)高景氣周期。在當(dāng)前DRAM市場(chǎng)供需格局改善、產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)入上漲通道的階段,長(zhǎng)鑫的上市不僅是企業(yè)自身跨越式發(fā)展的“戰(zhàn)略窗口”,更是中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域這盤(pán)“大棋局”中,于DRAM核心地帶投下的“先手棋”與“勝負(fù)手”,它標(biāo)志著競(jìng)爭(zhēng)逐漸從技術(shù)突破邁向資本與生態(tài)的全面賦能,是重構(gòu)未來(lái)全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)秩序的關(guān)鍵落子。
業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,長(zhǎng)鑫科技不僅具備DRAM產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”地位,更以前瞻性的技術(shù)路線精準(zhǔn)卡位行業(yè)上行周期。當(dāng)前DRAM供需關(guān)系持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格步入上升通道,其上市恰逢企業(yè)躍升的“黃金窗口”,更是中國(guó)在全球半導(dǎo)體博弈中于存儲(chǔ)核心戰(zhàn)場(chǎng)落下的關(guān)鍵一子——這不僅是技術(shù)創(chuàng)新的延續(xù),更是資本賦能與生態(tài)構(gòu)建的新起點(diǎn),有望重塑全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)格局。
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