VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia(統(tǒng)稱“HKMC”)作為戰(zhàn)略投資者參投

以色列內(nèi)斯齊奧納2025年12月11日 /美通社/ -- 電動(dòng)汽車氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體先鋒VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B輪融資第二次交割順利完成，共募集2,600萬美元。 本輪由一家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投，HKMC作為戰(zhàn)略投資者加入。 這一里程碑鞏固了VisIC在電動(dòng)汽車牽引逆變器GaN創(chuàng)新領(lǐng)域的前沿地位，并進(jìn)一步強(qiáng)化了其推動(dòng)新一代電動(dòng)出行的角色。

領(lǐng)投方對(duì)關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)投入，與VisIC專有的D³GaN?平臺(tái)高度契合，旨在為汽車傳動(dòng)系統(tǒng)提供無與倫比的效率、可擴(kuò)展性與可靠性。 HKMC參投彰顯其將GaN技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)電動(dòng)汽車平臺(tái)的決心。

全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)正快速增長，車企競(jìng)相提升續(xù)航里程、降低成本并滿足更嚴(yán)格的可持續(xù)目標(biāo)。 當(dāng)前瓶頸在于功率電子器件——尤其是牽引逆變器——的效率與可擴(kuò)展性，其直接影響整車性能與能耗。

問題陳述

傳統(tǒng)硅基方案難以滿足新一代電動(dòng)汽車平臺(tái)對(duì)效率與功率密度的要求，特別是在更高電壓場(chǎng)景下。 盡管SiC(碳化硅)器件性能更優(yōu)，但其高昂成本與復(fù)雜制造工藝限制了大規(guī)模應(yīng)用。 VisIC的D³GaN?氮化鎵技術(shù)通過支持更小型、更輕量、更高效率的逆變器，解決了現(xiàn)有技術(shù)的限制，同時(shí)為400V和800V架構(gòu)帶來全新可能。

資金用途

新資金將加速VisIC路線圖，包括：

• 優(yōu)化、認(rèn)證與發(fā)布第三代750V GaN芯片與功率模塊。
• 開發(fā)第四代1350V GaN技術(shù)，以支持全譜系電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)。
• 穩(wěn)定供應(yīng)鏈并擴(kuò)大GaN產(chǎn)品對(duì)電動(dòng)汽車牽引逆變器的交付規(guī)模。
• 借助同一先進(jìn)GaN平臺(tái)拓展新興800V數(shù)據(jù)中心供電需求。

高管語錄

VisIC Technologies首席執(zhí)行官Tamara Baksht：

“此次投資對(duì)VisIC及全球電動(dòng)汽車行業(yè)具有重要的里程碑意義。 我們的D³GaN技術(shù)正在重新定義電動(dòng)汽車功率電子技術(shù)，戰(zhàn)略伙伴的支持將讓我們加速交付高效率、可擴(kuò)展的下一代出行解決方案?！?/i>